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ニュース

 2019年11月27~30日 第8回半導体界面制御国際シンポジウム

東北大学で開催された国際シンポジウムICSCI-IIIVに下記3名の大学院生が発表してきました.
初の学会発表が国際会議となった学生もいましたが,海外の研究者からの質問にも頑張って答えていました.
仙台での滞在を満喫しつつも,大きく成長して帰ってきました!

M2
新倉 健太: “Enhanced Photoluminescence from Strained Ge-on-Insulator Surface-Passivated with Hydrogenated Amorphous Si”
M1
林田 隼弥: “Thermal stability of mechanically-exfoliated monolayer and few layer MoTe2
我妻 勇哉: “Surface Morphology Evolution of Strained Si1-xGex Grown on Relaxed Ge(111)”

詳細リスト
Yusuke Hoshi, Shunya Hayashida, Kentarou Sawano
“Optical Interferences in Monolayer Tungsten Disulfide and Tungsten Diselenide Encapsulated by Hexagonal Boron nitride”

Kenta Niikura, Yuta Kumazawa, Natsuki Yamahata, Yusuke Hoshi, Tsukasa Takamura, Kimihiko Saito, Makoto Konagai, Kentarou Sawano
“Enhanced Photoluminescence from Strained Ge-on-Insulator Surface-Passivated with Hydrogenated Amorphous Si”

Youya Wagatsuma, Md. Mahfuz Alam, Kazuya Okada, Yusuke Hoshi, Michihiro Yamada, Kohei Hamaya, Kentarou Sawano
“Surface Morphology Evolution of Strained Si1-xGex Grown on Relaxed Ge(111)”

Shunya Hayashida, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kentarou Sawano, and Yusuke Hoshi
“Thermal stability of mechanically-exfoliated monolayer and few layer MoTe2

 

2019年10月24日~31日 さくらサイエンスプラン

交換留学生としてタイからChawanya ChaiwanさんとKwang Kanokpornさんが一週間滞在されました.
実際に研究の一環となる実験を一緒に行って頂きました.
彼女たちの専門がAIなどということもあって,興味があり,
半導体の製造過程などについて理解が深めることができたそうです.
一緒にご飯に行くなどして親睦を深められました!

2019年9月18日~21日 応用物理学会

北海道大学にて開催された応用物理学会に下記の学生が発表を行ってきました.
今回が初めての学生もいましたが,質問にも頑張って答えていました.
札幌観光を楽しみつつも大きく成長して戻ってきました!
お疲れ様でした.

第80回応用物理学会秋季学術講演会

M2
水口 俊希「In-situドープによるGe-on-Si(111)のn型伝導制御」
石井 大介「ナノ多孔層ガラス基板を利用したGeナノドットの作製」
大迫 力人「サブ波長格子構造を有するSi中赤外導波路」

M1
山田 航大「PドープGe-on-Siにおける拡散ストップ層挿入の効果」
林田 隼弥「hBN/1L-WSe2/hBN構造の光取り出し効率の改善」
我妻 勇哉「Ge-on-Si(111)及びGe(111)基板上の歪みSi1-xGexの臨界膜厚」

2019年8月20日~23日 研究室合宿

長野県の小諸にて毎年恒例,ナノエレクトロニクス研究室の研究室合宿を行いました.お昼ごろまでは各班の修士2年生の中間発表を聞き,半導体についての理解を深めました.その後は,ブルワリーを見学し,様々な種類のビールの試飲をさせて頂き,ビールの奥深さを楽しみました!夜には温泉で日々の疲れを癒し,懇親会では他の班の人たちとの親睦を深めました.

2019年8月7日 ビアパーティ

ナノエレクトロニクス研究室でビアパーティを行いました.

白木先生や中川先生,丸泉先生もいらっしゃり,普段話す機会の少ない方々と親睦を深めました!

2019年3月6日 追いコン

修士2年生と学部4年生を送る、追いコンを総研にて開催しました。みなさん、3年間、または1年間の研究室での思い出を大切にして、社会に巣立ってください!大学院進学の4年生は、これからも頑張っていきましょう!


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2018年11月20日 ワイン会

新たに配属した3年生を迎えて、毎年恒例のワイン会を総研にて開催しました。

白木先生やOBの先輩もいらっしゃり、みなさん楽しく懇親を深めました。

2018年8月27~29日 研究室合宿

伊豆熱川温泉にて研究室合宿を行いました。温かい温泉で日ごろの研究の疲れを癒し、夜の懇親会も大いに盛り上がって皆さん懇親をたっぷり深めることができました。ワイナリー見学も楽しみました!

2018年5月27~31日 ドイツにて学会発表

ドイツのポツダムにて開催された国際会議ISTDM/ICSI2018において、下記5名の大学院生が発表してきました。
初めての国際学会発表の人がほとんどでしたが、みなさんヨーロッパやアメリカの研究者の質問にもがんばって答えていました。

ポスダムやベルリンの観光もたっぷり満喫して無事に帰ってきました。

D2 Md. Mahfuz Alam君 ”Structural and electrical properties of compressive strained Ge channels fabricated on Si (111) and Si (100)”

M2 繁澤えり子さん “Formation of high quality Al2O3/Ge interface by ALD directly on epitaxial Ge”

M2 大木 健司君 “Fabrication and evaluation of Ge on Si (110) by using two-step growth method”

M2 熊澤 祐太君 “Effects of post annealing on in-situ n-doped Ge-on-Si”

M2 佐野 良介君 “Effect of Strain on the Binding Energy of Ge 2p and 3d core level”

2017年9月5~8日 応用物理学会

福岡国際会議場で開催された応用物理学会において、下記7名の大学院生が発表してきました。
初めて発表する人も多かったですが、他大学や企業の研究者とたっぷり議論を交わし、
博多滞在も大いに満喫して、一回り大きくなって東京へ戻ってきました!
お疲れ様でした。

M2
岡重 柊汰 「Spin-on-dopant拡散によるGeダイオードの電流注入での発光」
滝沢 耕平 「ARXPSによるsoft-ICP エッチングプロセスがダイヤモンド半導体表面に与える影響」

M1
大木 健司 「二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価」
大谷 俊貴 「Rib構造を有する薄型Si太陽電池の作製プロセス」
繁澤 えり子 「エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl2O3層の形成と評価」
高橋 怜美 「Rib構造を有する薄型Si太陽電池の特性評価」
原田 波子 「Ge量子ドットへのP-Spin-on-Dopingが発光特性に与える効果」

2017年 8月9~11日 研究室合宿

山梨県の河口湖にて研究室合宿を行いました。勉強会では白木先生、市川先生のご講演などを開催。レクリエーションでは、
ドッジボールやバスケを行い、勉強も遊びも充実した合宿を行えました。

2017年 8月4,5日 オープンキャンパス

2017年 8月4(金)、5日(土)の2日間にわたり、オープンキャンパスを開催しました。電気電子工学科のブースでは、学科の説明以外にも展示品や解説ポスターを用いた研究紹介や、太陽電池を用いた発電の仕組みを体験できます。今年も多くの高校生や保護者にご来場頂き、体験してもらいました!ありがとうございました!

2017年 8月3日 国際会議

島根県の松江くにびきメッセで開催された、半導体の欠陥に関する国際会議 ICDS2017(29th International Conference on Defects in Semiconductors) にて M2 此島さん、M1 大木君が発表しました。

発表タイトル

    • 大木 健司

「Effects of ion implantation defects on strain relaxation of SiGe layers on Si(110)」

  • 此島 志織

「Formation of uniaxially strained Ge by local introduction of ion implantation defects」

2017年 6月18日 オープンキャンパス

オープンキャンパス、電気電子工学科の展示において、ナノエレクトロニクス研究室の研究紹介をしました。
多くの来場者に、LEDの元となる半導体ウェハーの発光や、太陽電池の発電の仕組みを体験してもらいました。
卒論生と大学院生が、一生懸命に研究紹介をしました。分かってもらえたでしょうか?

2017年 5月14~19日

2017年5月14-19日にイギリスのWarwick大学にて、シリコン半導体の国際会議ICSI-10が開催されました。ナノエレクトロニクス研究室 修士1年の熊澤君と神田君がそれぞれ口頭発表とポスター発表を行いました。2人とも、ゲルマニウム発光デバイスに関する各々の研究成果を、存分に海外の研究者にアピールして帰国しました。

熊澤祐太(修士1年)発表タイトル「Circular distributed Bragg reflector resonators on highly n-doped Ge-on-insulator」

神田雄太(修士1年)発表タイトル「Resonant light emission from uniaxially tensile-strained Ge microbridges」

2016年 11月7日

ナノエレクトロニクス研究室 修士2年の橋本秀明君が、2016年11月7日に開催されました「応用物理学会 結晶工学分科会研究会(未来塾)」にて、「円形ブラッグ・グレーティングを有するGeマイクロディスクの共振PL」というタイトルで発表し、みごと2016年度分科会発表奨励賞を受賞しました。おめでとうございます!

2016年 10月7日

M2橋本君が、ホノルルで開催された国際会議「PRiME 2016」にて口頭発表を行いました。
Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2016), Honolulu, USA, Oct. 2-7 (2016).

「Enhanced Light Emission from N-Doped Ge Microdisks by Thermal Oxidation」
Hashimoto, X. Xu, K. Sawano, T. Maruizumi

2016年 9月13~16日

新潟市の朱鷺メッセにて開催された応用物理学会にて、M2 佐藤君、橋本君、加藤さん、M1 大久保君、大野君、篠塚君、4年高橋さんが発表しました。

「高濃度n型ドープGeマイクロディスクの共振フォトルミネセンス」
橋本 秀明、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也

「ヘテロ接合型Si太陽電池の開放電圧の制限要素」
佐藤 綾祐、澤野 憲太郎、Porponth Sichanugrist、中田 和吉、小長井 誠

「Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果」
加藤 まどか、村上 太陽、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、澤野 憲太郎

「Epitaxial Lift-Off (ELO)法を用いたGOI基板の作製」
大久保 亮太、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也

「GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性」
大野 剛嗣、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也

「Siナノウォール構造の作製」
篠塚 敦史、徐 学俊、澤野 憲太郎、吉葉 修平、平井 政和、市川 幸美、小長井 誠

「多接合波長スプリッティング太陽電池の実現に向けた屋外発電特性評価」
高橋 怜美、澤野 憲太郎、Porponth Sichanugrist、熊田 昌年、渡辺 晴菜、植田 譲、小長井 誠

2016年 9月4~9日

フランス モンペリエで開催されたMBE国際会議にて、M2 橋本君、加藤さんが発表しました。
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)
「Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(110) films by controlling defects via ion implantation」
M. Kato, T. Murakami, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K, Sawano
「Highly N-doped Ge Microdisks with Circular Bragg Gratings on Ge-on-Insulator」
H. Hashimoto, X. Xu, K. Sawano, T. Maruizumi

2016年 8月17~19日

長野県北佐久郡にて研究室合宿を行いました。
研究紹介や白木先生によるご講演などを行いました。
レクリエーションやバーベキューを行い、親睦を深めました。

2016年 8月11日

修士1年の此島さんが第18回結晶成長国際会議で発表を行いました。
(The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy)

「Fabrication of uniaxially strained Ge by selective ion implantation technique」
Shiori Konoshima, Eiske Yonekura, Kentarou Sawano

2016年 6月9日

4年生の歓迎会を行いました。

2016年 5月30日

日本経済新聞にGOI基板開発の研究成果が掲載されました。
「 2016年5月30日付 日本経済新聞

2016年 3月19~22日

修士2年の矢島君、松尾君、渡邊君、修士1年の松下君、佐藤君、学部4年の久保田君が応用物理学会で発表を行いました。

「SiGeストップ層を用いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発」
矢島 佑樹、澤野 憲太郎
「貼り合わせ法による一軸性歪みSiGe-on-Insulator(SGOI)の作製」
松尾 拓哉、澤野 憲太郎
「Ge量子ドット/Si界面へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響」
渡邊 幸樹、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也
「円形マイクロブリッジ構造によるGOIの二軸引っ張り歪み増強」
松下 奨、徐 学俊、澤野 憲太郎、丸泉 琢也
「低倍率集光型Siヘテロ接合太陽電池の動作解析」
佐藤 綾祐、櫻井 健太、澤野 憲太郎、Sichanugrist Porponth、中田 和吉、小長井 誠
「高効率GaInP//Si低倍率集光型・波長スプリッティング太陽電池」
久保田 智也、佐藤 綾祐、澤野 憲太郎、Sichanugrist Porponth、小長井 誠

2016年 1月23日

修士1年の橋本秀明君が、三島で開催された「第21回電子デバイス界面テクノロジー研究会」にて、 「Enhanced Light Emission from Surface-Passivated Tensile-Strained Ge-on-Insulator」というタイトルで口頭発表を行い、見事「服部賞」(最優秀講演賞)を受賞いたしました! おめでとうございます。

2015年 11月19日

毎年恒例、B3の歓迎会を兼ねた「ワイン会」を総合研究所で開催しました。


2015年 10月5日

日本経済新聞電子版に、Ge発光デバイスの研究成果が掲載されました。
「 2015年8月20日付 日経産業新聞

2015年 9月13~16日

第76回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋国際会議場)にて、荒井君、加藤さん、橋本君が発表しました。
荒井 仁(修士2年)「AR-XPSによる4H-SiC (0001)の初期酸化過程の解明」
加藤まどか(修士1年)「Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果」
橋本 秀明(修士1年) 「GOIマイクロディスクにおけるHigh-Q値共振フォトルミネセンス」

2015年 8月23~25日

福島県郡山市にて研究室合宿を行いました。
英論紹介や白木先生によるご講演などを行いました。
福島再生可能エネルギー研究所(FREA)の見学を行いました。
レクリエーションとしてフットサルを行いました。

2015年 3月13日

応用物理学会 研究奨励賞 受賞!
徐 講師 が応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞 を受賞しました!
おめでとうございます!!
対象論文:「Waveguide-integrated microdisk light-emitting diode and photodetector based on Ge quantum dots」
掲載雑誌:OPTICS EXPRESS 22, 3902-3910 (2014)
著者:Xuejun Xu, Takuya Maruizumi, and Yasuhiro Shiraki

2015年 3月11~14日

応用物理学会にて、高林 昂紀君、山堀 俊太君、勝俣 洋典君、橋本 秀明君が発表しました。
高林 昂紀(修士2年)
「熱酸化を用いた表面不活性化による引っ張り歪みGe on Siの発光強度増大」
山堀 俊太(修士2年)
「高空間分解能HXPESとXPSによる歪み及び組成がSiGe価電子帯に与える影響の検出」
勝俣 洋典(修士2年)
「Pのin-situドーピングにより作製したn型GOIの電気伝導特性」
橋本 秀明(学部4年)
「引っ張り歪みGOIのCMP薄膜化による発光強度増大」

2014年 10月29日

国際会議発表(ECS@メキシコ)
山堀俊太君と笹子知弥君が、メキシコ・カンクンで開催された国際会議2014 ECS and SMWQ Joint International Meeting(10/5~9)にて発表を行いました。

山堀 俊太(修士2年)
講演タイトル「Detection of Effect of Strain on the Valence Band Structure of SiGe by HXPES with High Spatial Resolution」
発表種別:ポスター発表
笹子 知弥(修士2年)
講演タイトル「Angle-resolved Photoelectron Spectroscopy studies of initial stage of oxidation on C-face 4H-SiC」
発表種別:口頭発表

2014年 6月18日 国際会議発表(ISTDM@シンガポール)

長嶋智典君と米倉瑛介君が、シンガポールにて開催された国際会議International SiGe Technology and Device Meeting(6月2日~4日)にて口頭発表を行いました。
長嶋智典(修士2年)
講演タイトル「Electrical properties of strained Ge(111)-on-Insulator (GOI) fabricated by Ge epitaxy on Si and layer transfer」
米倉瑛介(修士2年)
講演タイトル「Formation of uniaxially strained SiGe with high Ge concentrations by selective ion implantation」

2014年 5月10日

応用物理学会講演奨励賞受賞!!
西田圭佑君(2014年3月修士課程修了)が、応用物理学会講演奨励賞受賞の快挙を成し遂げました!!
おめでとうございます!!

http://www.jsap.or.jp/activities/award/lecture/dai36kai.html

第36回(2014年春季)応用物理学会講演奨励賞 (2014年3月19日)
大学院工学研究科 電気電子工学専攻 M2(学会時)
西田圭佑
論文タイトル「n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価」
共著者(都市大工:徐学俊,高林昂紀,吉田圭佑,澤野憲太郎,白木靖寛,丸泉琢也)