量子・ナノデバイス研究室(白木靖寛教授、丸泉琢也教授、野平博司准教授、瀬戸謙修 講師、澤野憲太郎 講師)の澤野憲太郎講師が、応用物理学会の英文誌Appl. Phys. Expressにて掲載された「Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation」に対して、応用物理学会よりJJAP論文奨励賞が授与されました。
量子・ナノデバイス研究室(白木靖寛教授、丸泉琢也教授、野平博司准教授、瀬戸謙修 講師、澤野憲太郎 講師)の澤野憲太郎講師が、応用物理学会の英文誌Appl. Phys. Expressにて掲載された「Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation」に対して、応用物理学会よりJJAP論文奨励賞が授与されました。