研究内容
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社会に役立つ研究
コンピュータや携帯電話などに使われる半導体の高速化、低消費電力化
パソコンに使われるCPUやメモリなどの電子部品は、基本素子を微細化し、大規模回路に集積化する事で発展して来ましたが、寸法が100ナノメートル(1ナノメートル:10億分の1メートル)をきるあたりから、限界に近づき、新材料や新デバイスの開発が盛んに行なわれています。また，微細化限界に伴い，性能向上限界と消費電力増大が世界的に問題となっています。これを解決するために、クリーンルーム内の多数の半導体結晶成長、プロセス装置を駆使し、ゲルマニウム(Ge)という新規高性能材料を用いた次世代の超低消費電力・光電子融合素子、具体的には、歪み Ge 薄膜や Ge 量子ナノドットを用いた、超高速 トランジスタおよび発光デバイスの開発を進めています。
平成 27 年度より、文部科学省私立大学戦略的研究基盤形成支援事業『ゲルマニウムを基幹材料とするナノエレクトロニクス先端融合研究基盤の形成』（平成 27〜31 年度）プロジェクトを推進しております。本プロジェクトでは、研究開発体制として国内外の研究者との連携を強化し、これまでに開発した Ge 量子デバイスと、ナノ・エレクトロ・メカニカル・システム（NEMS)との融合を図ることにより、単電荷センサーや超微小位置歪みセンサー等への広い分野への応用を可能とする、Ge 系新機能・量子ナノデバイスの研究基盤を構築することを目指しております。
研究室の特徴
先端的、国際的な研究開発環境
半導体デバイスの作製、電気的、光学的な特性評価、光電子分光法やシミュレーションによる解析、評価と、個々の研究テーマは多岐にわたっています。強い目的意識と、研究に対する貪欲さがあれば、先端技術に関する幅広い知識と見識がおのずと得られます。また、ナノエレクトロニクス研究センター勤務のポストドクターや外国人スタッフによる直接指導など、高度で、国際的な研究環境にあります。